¿Qué es Movilidad de silicio con dopaje de orificios?
La movilidad del silicio con dopaje de huecos es la capacidad de un hueco de viajar a través de un metal o semiconductor en presencia de un campo eléctrico aplicado. Movilidad de silicio con dopaje de orificios generalmente se mide usando centímetro cuadrado por segundo voltio para Movilidad. Tenga en cuenta que el valor de Movilidad de silicio con dopaje de orificios es siempre positivo.
¿Puede el Movilidad de silicio con dopaje de orificios ser negativo?
No, el Movilidad de silicio con dopaje de orificios, medido en Movilidad no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Movilidad de silicio con dopaje de orificios?
Movilidad de silicio con dopaje de orificios generalmente se mide usando centímetro cuadrado por segundo voltio[cm²/V*s] para Movilidad. Metro cuadrado por voltio por segundo[cm²/V*s] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Movilidad de silicio con dopaje de orificios.