La movilidad de los electrones en la superficie del canal se refiere a la capacidad de los electrones para moverse o viajar a través de la superficie de un material semiconductor, como un canal de silicio en un transistor. Y se indica con μs. Movilidad de electrones en la superficie del canal. generalmente se mide usando Metro cuadrado por voltio por segundo para Movilidad. Tenga en cuenta que el valor de Movilidad de electrones en la superficie del canal. es siempre positivo.