FormulaDen.com
Física
Química
Mates
Ingeniería Química
Civil
Eléctrico
Electrónica
Electrónica e instrumentación
Ciencia de los Materiales
Mecánico
Ingeniería de Producción
Financiero
Salud
Usted está aquí
-
Hogar
»
Ingenieria
»
Electrónica
»
Teoría de microondas
Frecuencia de ralentí en Dispositivos semiconductores de microondas Fórmulas
La frecuencia ociosa en el amplificador paramétrico de resistencia negativa es la tercera frecuencia que se genera como resultado de mezclar las dos frecuencias de entrada. Y se indica con f
i
. Frecuencia de ralentí generalmente se mide usando hercios para Frecuencia. Tenga en cuenta que el valor de Frecuencia de ralentí es siempre positivo.
Fórmulas para encontrar Frecuencia de ralentí en Dispositivos semiconductores de microondas
f
x
Frecuencia del ralentí utilizando la frecuencia de bombeo
Ir
Fórmulas de Dispositivos semiconductores de microondas que utilizan Frecuencia de ralentí
f
x
Ganancia de potencia del convertidor descendente
Ir
f
x
Ancho de banda del amplificador paramétrico de resistencia negativa (NRPA)
Ir
Lista de variables en fórmulas de Dispositivos semiconductores de microondas
f
x
Frecuencia de bombeo
Ir
f
x
Frecuencia de señal
Ir
FAQ
¿Qué es Frecuencia de ralentí?
La frecuencia ociosa en el amplificador paramétrico de resistencia negativa es la tercera frecuencia que se genera como resultado de mezclar las dos frecuencias de entrada. Frecuencia de ralentí generalmente se mide usando hercios para Frecuencia. Tenga en cuenta que el valor de Frecuencia de ralentí es siempre positivo.
¿Puede el Frecuencia de ralentí ser negativo?
No, el Frecuencia de ralentí, medido en Frecuencia no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Frecuencia de ralentí?
Frecuencia de ralentí generalmente se mide usando hercios[Hz] para Frecuencia. Petahertz[Hz], Terahercios[Hz], gigahercios[Hz] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Frecuencia de ralentí.
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!