FET de transconductancia directa en Dispositivos de transistores avanzados Fórmulas

FET de transconductancia directa se refiere al cambio en la corriente de salida resultante de un cambio en el voltaje de entrada, lo que indica la capacidad de amplificación del dispositivo. Y se indica con G_m(fet). FET de transconductancia directa generalmente se mide usando milisiemens para Conductancia eléctrica. Tenga en cuenta que el valor de FET de transconductancia directa es siempre positivo.

Fórmulas para encontrar FET de transconductancia directa en Dispositivos de transistores avanzados

fxTransconductancia de FETIr

Fórmulas de Dispositivos de transistores avanzados que utilizan FET de transconductancia directa

fxGanancia de voltaje de FETIr

Lista de variables en fórmulas de Dispositivos de transistores avanzados

fx Corriente de drenaje de polarización cero Ir

fx Tensión de pellizco apagado Ir

fx FET de voltaje de fuente de drenaje Ir

FAQ

¿Qué es FET de transconductancia directa?

FET de transconductancia directa se refiere al cambio en la corriente de salida resultante de un cambio en el voltaje de entrada, lo que indica la capacidad de amplificación del dispositivo. FET de transconductancia directa generalmente se mide usando milisiemens para Conductancia eléctrica. Tenga en cuenta que el valor de FET de transconductancia directa es siempre positivo.

¿Puede el FET de transconductancia directa ser negativo?

No, el FET de transconductancia directa, medido en Conductancia eléctrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir FET de transconductancia directa?

FET de transconductancia directa generalmente se mide usando milisiemens[mS] para Conductancia eléctrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] son las pocas otras unidades en las que se puede medir FET de transconductancia directa.

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