FET de conductancia del canal en Dispositivos de transistores avanzados Fórmulas

La conductancia del canal FET es la medida de qué tan bien el canal de un FET conduce la corriente. Está determinada por la movilidad de los portadores de carga en el canal. Y se indica con G_o(fet). FET de conductancia del canal generalmente se mide usando milisiemens para Conductancia eléctrica. Tenga en cuenta que el valor de FET de conductancia del canal es siempre negativo.

Fórmulas de Dispositivos de transistores avanzados que utilizan FET de conductancia del canal

fxCorriente de drenaje de la región óhmica de FETIr

FAQ

¿Qué es FET de conductancia del canal?

La conductancia del canal FET es la medida de qué tan bien el canal de un FET conduce la corriente. Está determinada por la movilidad de los portadores de carga en el canal. FET de conductancia del canal generalmente se mide usando milisiemens para Conductancia eléctrica. Tenga en cuenta que el valor de FET de conductancia del canal es siempre negativo.

¿Puede el FET de conductancia del canal ser negativo?

Sí, el FET de conductancia del canal, medido en Conductancia eléctrica poder sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir FET de conductancia del canal?

FET de conductancia del canal generalmente se mide usando milisiemens[mS] para Conductancia eléctrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] son las pocas otras unidades en las que se puede medir FET de conductancia del canal.

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