FAQ

¿Qué es Dopaje en el lado P?
El dopaje en el lado P se refiere al proceso de introducir tipos específicos de impurezas en la región semiconductora de tipo P de un dispositivo semiconductor. Dopaje en el lado P generalmente se mide usando 1 por centímetro cúbico para Densidad numérica. Tenga en cuenta que el valor de Dopaje en el lado P es siempre positivo.
¿Puede el Dopaje en el lado P ser negativo?
No, el Dopaje en el lado P, medido en Densidad numérica no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Dopaje en el lado P?
Dopaje en el lado P generalmente se mide usando 1 por centímetro cúbico[1/cm³] para Densidad numérica. 1 por metro cúbico[1/cm³] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Dopaje en el lado P.
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