El dopaje en el lado P se refiere al proceso de introducir tipos específicos de impurezas en la región semiconductora de tipo P de un dispositivo semiconductor. Y se indica con Ndp. Dopaje en el lado P generalmente se mide usando 1 por centímetro cúbico para Densidad numérica. Tenga en cuenta que el valor de Dopaje en el lado P es siempre positivo.