El dopaje en el lado N se refiere al proceso de introducir tipos específicos de impurezas en la región semiconductora de tipo N de un dispositivo semiconductor. Y se indica con Ndn. Dopaje en el lado N generalmente se mide usando 1 por centímetro cúbico para Densidad numérica. Tenga en cuenta que el valor de Dopaje en el lado N es siempre positivo.