Diferencia de potencial del cuerpo fuente en Fabricación de VLSI Fórmulas

La diferencia de potencial del cuerpo fuente se calcula cuando un potencial aplicado externamente es igual a la suma de la caída de voltaje a través de la capa de óxido y la caída de voltaje a través del semiconductor. Y se indica con V_sb. Diferencia de potencial del cuerpo fuente generalmente se mide usando Voltio para Potencial eléctrico. Tenga en cuenta que el valor de Diferencia de potencial del cuerpo fuente es siempre positivo.

Fórmulas para encontrar Diferencia de potencial del cuerpo fuente en Fabricación de VLSI

fxPotencial entre la fuente y el cuerpoIr

Fórmulas de Fabricación de VLSI que utilizan Diferencia de potencial del cuerpo fuente

fxCoeficiente de efecto corporalIr

fxPendiente subumbralIr

fxPotencial de superficieIr

Lista de variables en fórmulas de Fabricación de VLSI

fx Potencial de superficie Ir

fx Concentración de aceptor Ir

fx Concentración intrínseca Ir

FAQ

¿Qué es Diferencia de potencial del cuerpo fuente?

La diferencia de potencial del cuerpo fuente se calcula cuando un potencial aplicado externamente es igual a la suma de la caída de voltaje a través de la capa de óxido y la caída de voltaje a través del semiconductor. Diferencia de potencial del cuerpo fuente generalmente se mide usando Voltio para Potencial eléctrico. Tenga en cuenta que el valor de Diferencia de potencial del cuerpo fuente es siempre positivo.

¿Puede el Diferencia de potencial del cuerpo fuente ser negativo?

No, el Diferencia de potencial del cuerpo fuente, medido en Potencial eléctrico no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Diferencia de potencial del cuerpo fuente?

Diferencia de potencial del cuerpo fuente generalmente se mide usando Voltio[V] para Potencial eléctrico. milivoltio[V], Microvoltio[V], nanovoltios[V] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Diferencia de potencial del cuerpo fuente.

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