FAQ

¿Qué es Densidad de dopaje en los flancos?
La densidad de dopaje de las paredes laterales se refiere a la concentración de átomos dopantes a lo largo de las paredes laterales de la estructura del transistor. Densidad de dopaje en los flancos generalmente se mide usando Electrones por metro cúbico para Densidad de electrones. Tenga en cuenta que el valor de Densidad de dopaje en los flancos es siempre positivo.
¿Puede el Densidad de dopaje en los flancos ser negativo?
No, el Densidad de dopaje en los flancos, medido en Densidad de electrones no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Densidad de dopaje en los flancos?
Densidad de dopaje en los flancos generalmente se mide usando Electrones por metro cúbico[electrons/m³] para Densidad de electrones. Electrones por centímetro cúbico[electrons/m³] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Densidad de dopaje en los flancos.
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