Densidad de carga de la región de agotamiento masivo en Fabricación de VLSI Fórmulas

La densidad de carga de la región de agotamiento masivo se define como la carga eléctrica por unidad de área asociada con la región de agotamiento en la mayor parte de un dispositivo semiconductor. Y se indica con Q_B0. Densidad de carga de la región de agotamiento masivo generalmente se mide usando Microculombios por centímetro cuadrado para Densidad de carga superficial. Tenga en cuenta que el valor de Densidad de carga de la región de agotamiento masivo es siempre negativo.