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Diseño y aplicaciones CMOS
Concentración intrínseca de electrones en Diseño y aplicaciones CMOS Fórmulas
La concentración intrínseca de electrones se define como el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco. Y se indica con n
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Fórmulas de Diseño y aplicaciones CMOS que utilizan Concentración intrínseca de electrones
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Potencial incorporado
Ir
f
x
Voltaje térmico de CMOS
Ir
FAQ
¿Qué es Concentración intrínseca de electrones?
La concentración intrínseca de electrones se define como el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.
¿Puede el Concentración intrínseca de electrones ser negativo?
{YesorNo}, el Concentración intrínseca de electrones, medido en {OutputVariableMeasurementName} {CanorCannot} sea negativo.
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