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Concentración de portador intrínseco en Dispositivos de estado sólido Fórmulas

La concentración de portadores intrínsecos se utiliza para describir la concentración de portadores de carga (electrones y huecos) en un material semiconductor intrínseco o no dopado en equilibrio térmico. Y se indica con ni. Concentración de portador intrínseco generalmente se mide usando 1 por metro cúbico para Concentración de portadores. Tenga en cuenta que el valor de Concentración de portador intrínseco es siempre positivo.

Fórmulas para encontrar Concentración de portador intrínseco en Dispositivos de estado sólido

fxConcentración de portador intrínseco​Ir

Fórmulas de Dispositivos de estado sólido que utilizan Concentración de portador intrínseco

fxTasa neta de cambio en la banda de conducción​Ir
fxTasa de generación térmica​Ir

Lista de variables en fórmulas de Dispositivos de estado sólido

fx Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia ​Ir
fx Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción ​Ir
fx Brecha de energía ​Ir
fx Temperatura ​Ir

FAQ

¿Qué es Concentración de portador intrínseco?
La concentración de portadores intrínsecos se utiliza para describir la concentración de portadores de carga (electrones y huecos) en un material semiconductor intrínseco o no dopado en equilibrio térmico. Concentración de portador intrínseco generalmente se mide usando 1 por metro cúbico para Concentración de portadores. Tenga en cuenta que el valor de Concentración de portador intrínseco es siempre positivo.
¿Puede el Concentración de portador intrínseco ser negativo?
No, el Concentración de portador intrínseco, medido en Concentración de portadores no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Concentración de portador intrínseco?
Concentración de portador intrínseco generalmente se mide usando 1 por metro cúbico[1/m³] para Concentración de portadores. 1 por centímetro cúbico[1/m³], por litro[1/m³] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Concentración de portador intrínseco.
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