FormulaDen.com
Física
Química
Mates
Ingeniería Química
Civil
Eléctrico
Electrónica
Electrónica e instrumentación
Ciencia de los Materiales
Mecánico
Ingeniería de Producción
Financiero
Salud
Usted está aquí
-
Hogar
»
Ingenieria
»
Electrónica
»
Electrónica analógica
Capacitancia de óxido en MOSFET Fórmulas
La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados. Y se indica con C
ox
. Capacitancia de óxido generalmente se mide usando Faradio para Capacidad. Tenga en cuenta que el valor de Capacitancia de óxido es siempre negativo.
Fórmulas de MOSFET que utilizan Capacitancia de óxido
f
x
Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS
Ir
f
x
Carga de capa de inversión en PMOS
Ir
f
x
Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS
Ir
f
x
Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS
Ir
FAQ
¿Qué es Capacitancia de óxido?
La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados. Capacitancia de óxido generalmente se mide usando Faradio para Capacidad. Tenga en cuenta que el valor de Capacitancia de óxido es siempre negativo.
¿Puede el Capacitancia de óxido ser negativo?
Sí, el Capacitancia de óxido, medido en Capacidad poder sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Capacitancia de óxido?
Capacitancia de óxido generalmente se mide usando Faradio[F] para Capacidad. kilofaradio[F], milifaradio[F], Microfaradio[F] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Capacitancia de óxido.
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!