Capacitancia de la capa de óxido de puerta en Fabricación de VLSI Fórmulas

La capacitancia de la capa de óxido de puerta se define como la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo. Y se indica con C_ox. Capacitancia de la capa de óxido de puerta generalmente se mide usando Microfaradio por milímetro cuadrado para Capacitancia de óxido por unidad de área. Tenga en cuenta que el valor de Capacitancia de la capa de óxido de puerta es siempre positivo.