Agotamiento del volumen vertical en el sustrato en Fabricación de VLSI Fórmulas

El agotamiento del volumen de extensión vertical en el sustrato se refiere a la profundidad de la región de agotamiento en el sustrato (a granel) del MOSFET. Y se indica con x_dm. Agotamiento del volumen vertical en el sustrato generalmente se mide usando Micrómetro para Longitud. Tenga en cuenta que el valor de Agotamiento del volumen vertical en el sustrato es siempre positivo.