Vorwärts-Transkonduktanz-FET in Fortschrittliche Transistorgeräte Formeln

Der Begriff „Vorwärts-Transkonduktanz-FET“ bezieht sich auf die Änderung des Ausgangsstroms infolge einer Änderung der Eingangsspannung und gibt die Verstärkungsfähigkeit des Geräts an. Und wird durch G_m(fet) gekennzeichnet. Vorwärts-Transkonduktanz-FET wird normalerweise mit Millisiemens für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Vorwärts-Transkonduktanz-FET immer positiv ist.

Formeln zum Suchen von Vorwärts-Transkonduktanz-FET in Fortschrittliche Transistorgeräte

fxTranskonduktanz von FETge

Fortschrittliche Transistorgeräte-Formeln, die Vorwärts-Transkonduktanz-FET verwenden

fxSpannungsverstärkung des FETge

Liste der Variablen in Fortschrittliche Transistorgeräte-Formeln

fx Null-Vorspannungs-Drainstrom ge

fx Pinch-OFF-Spannung ge

fx Drain-Source-Spannung FET ge

FAQ

Was ist der Vorwärts-Transkonduktanz-FET?

Der Begriff „Vorwärts-Transkonduktanz-FET“ bezieht sich auf die Änderung des Ausgangsstroms infolge einer Änderung der Eingangsspannung und gibt die Verstärkungsfähigkeit des Geräts an. Vorwärts-Transkonduktanz-FET wird normalerweise mit Millisiemens für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Vorwärts-Transkonduktanz-FET immer positiv ist.

Kann Vorwärts-Transkonduktanz-FET negativ sein?

NEIN, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene Vorwärts-Transkonduktanz-FET kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Vorwärts-Transkonduktanz-FET verwendet?

Vorwärts-Transkonduktanz-FET wird normalerweise mit Millisiemens[mS] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Vorwärts-Transkonduktanz-FET gemessen werden kann.

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