Vertikale Massenverarmung im Substrat in VLSI-Herstellung Formeln

Vertikale Ausdehnung der Massenverarmung im Substrat bezieht sich auf die Tiefe des Verarmungsbereichs im Substrat (Masse) des MOSFET. Und wird durch x_dm gekennzeichnet. Vertikale Massenverarmung im Substrat wird normalerweise mit Mikrometer für Länge gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Vertikale Massenverarmung im Substrat immer positiv ist.

VLSI-Herstellung-Formeln, die Vertikale Massenverarmung im Substrat verwenden

fxZusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSIge

FAQ

Was ist der Vertikale Massenverarmung im Substrat?

Vertikale Ausdehnung der Massenverarmung im Substrat bezieht sich auf die Tiefe des Verarmungsbereichs im Substrat (Masse) des MOSFET. Vertikale Massenverarmung im Substrat wird normalerweise mit Mikrometer für Länge gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Vertikale Massenverarmung im Substrat immer positiv ist.

Kann Vertikale Massenverarmung im Substrat negativ sein?

NEIN, der in Länge gemessene Vertikale Massenverarmung im Substrat kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Vertikale Massenverarmung im Substrat verwendet?

Vertikale Massenverarmung im Substrat wird normalerweise mit Mikrometer[μm] für Länge gemessen. Meter[μm], Millimeter[μm], Kilometer[μm] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Vertikale Massenverarmung im Substrat gemessen werden kann.

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