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Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten in MOSFET Formeln

Der Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren. Und wird durch k'p gekennzeichnet. Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten wird normalerweise mit Millisiemens für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten immer Negativ ist.

Formeln zum Suchen von Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten in MOSFET

fxProzesstranskonduktanzparameter von PMOS​ge

MOSFET-Formeln, die Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten verwenden

fxDrain-Strom gegeben NMOS arbeitet als spannungsgesteuerte Stromquelle​ge
fxDrainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors​ge
fxDrain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd​ge
fxDrain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors​ge
fxDrain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov​ge
fxGesamt-Drain-Strom des PMOS-Transistors​ge

Liste der Variablen in MOSFET-Formeln

fx Beweglichkeit von Löchern im Kanal ​ge
fx Oxidkapazität ​ge

FAQ

Was ist der Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten?
Der Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren. Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten wird normalerweise mit Millisiemens für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten immer Negativ ist.
Kann Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten negativ sein?
Ja, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten kann dürfen negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten verwendet?
Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten wird normalerweise mit Millisiemens[mS] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten gemessen werden kann.
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