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Transkonduktanz in PMOS verarbeiten in MOSFET Formeln

Die Prozesstranskonduktanz in PMOS bezieht sich auf die Verstärkung eines PMOS-Transistors in Bezug auf seine Gate-Source-Spannung. Und wird durch k'p gekennzeichnet. Transkonduktanz in PMOS verarbeiten wird normalerweise mit Millisiemens für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Transkonduktanz in PMOS verarbeiten immer Negativ ist.

MOSFET-Formeln, die Transkonduktanz in PMOS verarbeiten verwenden

fxDrainstrom ohne Kanallängenmodulation des MOSFET​ge
fxDrain-Sättigungsstrom des MOSFET​ge

FAQ

Was ist der Transkonduktanz in PMOS verarbeiten?
Die Prozesstranskonduktanz in PMOS bezieht sich auf die Verstärkung eines PMOS-Transistors in Bezug auf seine Gate-Source-Spannung. Transkonduktanz in PMOS verarbeiten wird normalerweise mit Millisiemens für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Transkonduktanz in PMOS verarbeiten immer Negativ ist.
Kann Transkonduktanz in PMOS verarbeiten negativ sein?
Ja, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene Transkonduktanz in PMOS verarbeiten kann dürfen negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Transkonduktanz in PMOS verarbeiten verwendet?
Transkonduktanz in PMOS verarbeiten wird normalerweise mit Millisiemens[mS] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Transkonduktanz in PMOS verarbeiten gemessen werden kann.
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