Transkonduktanz des MESFET in Mikrowellenhalbleiterbauelemente Formeln

Die Transkonduktanz des MESFET ist ein Schlüsselparameter in MESFETs und stellt die Änderung des Drain-Stroms in Bezug auf die Änderung der Gate-Source-Spannung dar. Und wird durch G_m gekennzeichnet. Transkonduktanz des MESFET wird normalerweise mit Siemens für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Transkonduktanz des MESFET immer positiv ist.

Formeln zum Suchen von Transkonduktanz des MESFET in Mikrowellenhalbleiterbauelemente

fxTranskonduktanz im Sättigungsbereich im MESFETge

Mikrowellenhalbleiterbauelemente-Formeln, die Transkonduktanz des MESFET verwenden

fxMESFET-Grenzfrequenzge

fxRauschfaktor GaAs MESFETge

Liste der Variablen in Mikrowellenhalbleiterbauelemente-Formeln

fx Ausgangsleitfähigkeit ge

fx Eingangsspannung ge

fx Grenzspannung ge

fx Abschnürspannung ge

FAQ

Was ist der Transkonduktanz des MESFET?

Die Transkonduktanz des MESFET ist ein Schlüsselparameter in MESFETs und stellt die Änderung des Drain-Stroms in Bezug auf die Änderung der Gate-Source-Spannung dar. Transkonduktanz des MESFET wird normalerweise mit Siemens für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Transkonduktanz des MESFET immer positiv ist.

Kann Transkonduktanz des MESFET negativ sein?

NEIN, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene Transkonduktanz des MESFET kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Transkonduktanz des MESFET verwendet?

Transkonduktanz des MESFET wird normalerweise mit Siemens[S] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Megasiemens[S], Millisiemens[S], Mho[S] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Transkonduktanz des MESFET gemessen werden kann.

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