Tiefe der Seitenwand in MOSFET Formeln

Die Tiefe der Seitenwand bezieht sich auf den Abstand von der Oberfläche einer Struktur oder eines Materials zu einem bestimmten Punkt innerhalb der Seitenwand. Und wird durch x_j gekennzeichnet. Tiefe der Seitenwand wird normalerweise mit Mikrometer für Länge gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Tiefe der Seitenwand immer positiv ist.

MOSFET-Formeln, die Tiefe der Seitenwand verwenden

fxSeitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheitge

FAQ

Was ist der Tiefe der Seitenwand?

Die Tiefe der Seitenwand bezieht sich auf den Abstand von der Oberfläche einer Struktur oder eines Materials zu einem bestimmten Punkt innerhalb der Seitenwand. Tiefe der Seitenwand wird normalerweise mit Mikrometer für Länge gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Tiefe der Seitenwand immer positiv ist.

Kann Tiefe der Seitenwand negativ sein?

NEIN, der in Länge gemessene Tiefe der Seitenwand kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Tiefe der Seitenwand verwendet?

Tiefe der Seitenwand wird normalerweise mit Mikrometer[μm] für Länge gemessen. Meter[μm], Millimeter[μm], Kilometer[μm] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Tiefe der Seitenwand gemessen werden kann.

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