Substrat-Vorspannungskoeffizient in MOSFET Formeln

Der Substratvorspannungskoeffizient ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) verwendet wird. Und wird durch γ_s gekennzeichnet.

Formeln zum Suchen von Substrat-Vorspannungskoeffizient in MOSFET

fxSubstrat-Vorspannungskoeffizientge

Liste der Variablen in MOSFET-Formeln

fx Dopingkonzentration des Akzeptors ge

fx Oxidkapazität ge

FAQ

Was ist der Substrat-Vorspannungskoeffizient?

Der Substratvorspannungskoeffizient ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) verwendet wird.

Kann Substrat-Vorspannungskoeffizient negativ sein?

{YesorNo}, der in {OutputVariableMeasurementName} gemessene Substrat-Vorspannungskoeffizient kann {CanorCannot} negativ sein.

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