Steilheit von PMOS in CMOS-Design und Anwendungen Formeln

Die Steilheit von PMOS bezeichnet das Verhältnis der Änderung des Ausgangs-Drainstroms zur Änderung der Eingangs-Gate-Source-Spannung bei konstanter Drain-Source-Spannung. Und wird durch K_p gekennzeichnet. Steilheit von PMOS wird normalerweise mit Mikroampere pro Quadratvolt für Steilheitsparameter gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Steilheit von PMOS immer positiv ist.

CMOS-Design und Anwendungen-Formeln, die Steilheit von PMOS verwenden

fxTranskonduktanzverhältnis CMOSge

fxAusbreitungsverzögerung für Übergangs-CMOS von niedriger zu hoher Ausgangsleistungge

FAQ

Was ist der Steilheit von PMOS?

Die Steilheit von PMOS bezeichnet das Verhältnis der Änderung des Ausgangs-Drainstroms zur Änderung der Eingangs-Gate-Source-Spannung bei konstanter Drain-Source-Spannung. Steilheit von PMOS wird normalerweise mit Mikroampere pro Quadratvolt für Steilheitsparameter gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Steilheit von PMOS immer positiv ist.

Kann Steilheit von PMOS negativ sein?

NEIN, der in Steilheitsparameter gemessene Steilheit von PMOS kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Steilheit von PMOS verwendet?

Steilheit von PMOS wird normalerweise mit Mikroampere pro Quadratvolt[µA/V²] für Steilheitsparameter gemessen. Ampere pro Quadratvolt[µA/V²], Milliampere pro Quadratvolt[µA/V²] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Steilheit von PMOS gemessen werden kann.

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