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Steilheit von NMOS in CMOS-Design und Anwendungen Formeln

Die Steilheit von NMOS bezeichnet das Verhältnis der Änderung des Ausgangs-Drainstroms zur Änderung der Eingangs-Gate-Source-Spannung bei konstanter Drain-Source-Spannung. Und wird durch Kn gekennzeichnet. Steilheit von NMOS wird normalerweise mit Mikroampere pro Quadratvolt für Steilheitsparameter gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Steilheit von NMOS immer positiv ist.

CMOS-Design und Anwendungen-Formeln, die Steilheit von NMOS verwenden

fxTranskonduktanzverhältnis CMOS​ge
fxAusbreitungsverzögerung für CMOS mit Übergang von hoher zu niedriger Ausgangsleistung​ge
fxWiderstandslast Maximale Eingangsspannung CMOS​ge
fxWiderstandslast, minimale Ausgangsspannung CMOS​ge
fxWiderstandslast, minimale Eingangsspannung CMOS​ge

FAQ

Was ist der Steilheit von NMOS?
Die Steilheit von NMOS bezeichnet das Verhältnis der Änderung des Ausgangs-Drainstroms zur Änderung der Eingangs-Gate-Source-Spannung bei konstanter Drain-Source-Spannung. Steilheit von NMOS wird normalerweise mit Mikroampere pro Quadratvolt für Steilheitsparameter gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Steilheit von NMOS immer positiv ist.
Kann Steilheit von NMOS negativ sein?
NEIN, der in Steilheitsparameter gemessene Steilheit von NMOS kann kann nicht negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Steilheit von NMOS verwendet?
Steilheit von NMOS wird normalerweise mit Mikroampere pro Quadratvolt[µA/V²] für Steilheitsparameter gemessen. Ampere pro Quadratvolt[µA/V²], Milliampere pro Quadratvolt[µA/V²] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Steilheit von NMOS gemessen werden kann.
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