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Steilheit in MOSFET Formeln

Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung. Und wird durch gm gekennzeichnet. Steilheit wird normalerweise mit Millisiemens für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Steilheit immer Negativ ist.

Formeln zum Suchen von Steilheit in MOSFET

fxÜbersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert​ge
fxSteilheit bei gegebenem Drain-Strom​ge
fxTranskonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter​ge
fxTranskonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage​ge
fxMOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter​ge
fxMOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung​ge
fxTranskonduktanz im MOSFET​ge
fxMOSFET-Transkonduktanz​ge
fxTranskonduktanz bei gegebenen Kleinsignalparametern​ge

MOSFET-Formeln, die Steilheit verwenden

fxStrom in der Gleichtaktunterdrückung des MOSFET​ge
fxKurzschlussstrom des MOSFET​ge
fxAusgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignal​ge
fxAusgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal​ge
fxInkrementelles Spannungssignal des Differenzverstärkers​ge
fxOverdrive-Spannung​ge
fxGemeinsame Gate-Ausgangsspannung​ge
fxÜbergangsfrequenz des MOSFET​ge
fxGleichtaktunterdrückungsverhältnis des MOSFET bei gegebenem Widerstand​ge
fxGleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast​ge
fxGleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast, wenn der Widerstand an den Drains gleich ist​ge
fxGleichtaktunterdrückungsverhältnis des MOSFET bei Transkonduktanz-Fehlanpassungen​ge
fxGleichtakt-Eingangssignal des MOSFET​ge
fxStrom mithilfe der Transkonduktanz ableiten​ge
fxProzess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom​ge
fxMOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparameters​ge
fxMOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung von Prozess-Transkonduktanzparameter und Übersteuerungsspannung​ge
fxDrainstrom bei gegebener Prozesstranskonduktanz und Transkonduktanz​ge
fxBody-Effekt auf die Transkonduktanz​ge
fxTranskonduktanzparameter des MOSFET verarbeiten​ge
fxBack-Gate-Transkonduktanz​ge
fxSpannungsverstärkung bei gegebenem Lastwiderstand des MOSFET​ge
fxPhasenverschobene Spannungsverstärkung mittels Transkonduktanz​ge
fxAusgangswiderstand des Differenzverstärkers​ge
fxEingangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz​ge
fxAusgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz​ge
fxAusgangsspannung des Kleinsignal-P-Kanals​ge
fxKleinsignal-Spannungsverstärkung in Bezug auf den Drain-Widerstand​ge
fxKleinsignal-Ausgangsspannung​ge
fxGemeinsame Drain-Ausgangsspannung im Kleinsignal​ge
fxGate-Source-Spannung im Verhältnis zum Kleinsignalwiderstand​ge
fxKleine Signalspannungsverstärkung in Bezug auf den Eingangswiderstand​ge
fxGate-Source-Spannung im Kleinsignal​ge
fxSpannungsverstärkung für Kleinsignale​ge
fxAusgangsstrom des Kleinsignals​ge
fxEingangsstrom des Kleinsignals​ge
fxVerstärkungsfaktor im Kleinsignal-MOSFET-Modell​ge
fxSpannungsverstärkung mit Kleinsignal​ge

Liste der Variablen in MOSFET-Formeln

fx Gesamtstrom ​ge
fx Gleichtakt-Eingangssignal ​ge
fx Ausgangswiderstand ​ge
fx Transkonduktanzparameter verarbeiten ​ge
fx Seitenverhältnis ​ge
fx Stromverbrauch ​ge
fx Gate-Source-Spannung ​ge
fx Grenzspannung ​ge
fx Overdrive-Spannung ​ge
fx Transkonduktanzparameter ​ge
fx Änderung des Drainstroms ​ge
fx Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung ​ge
fx Gesamtspannung ​ge

FAQ

Was ist der Steilheit?
Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung. Steilheit wird normalerweise mit Millisiemens für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Steilheit immer Negativ ist.
Kann Steilheit negativ sein?
Ja, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene Steilheit kann dürfen negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Steilheit verwendet?
Steilheit wird normalerweise mit Millisiemens[mS] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Steilheit gemessen werden kann.
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