Spenderkonzentration in MOSFET Formeln

Die Donorkonzentration ist ein Teil der Halbleiterphysik und bezieht sich auf die Anzahl der Donor-Fremdatome pro Volumeneinheit eines Halbleitermaterials. Und wird durch N_d gekennzeichnet. Spenderkonzentration wird normalerweise mit 1 pro Kubikmeter für Trägerkonzentration gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Spenderkonzentration immer Negativ ist.

MOSFET-Formeln, die Spenderkonzentration verwenden

fxBackgate-Effektparameter in PMOSge

FAQ

Was ist der Spenderkonzentration?

Die Donorkonzentration ist ein Teil der Halbleiterphysik und bezieht sich auf die Anzahl der Donor-Fremdatome pro Volumeneinheit eines Halbleitermaterials. Spenderkonzentration wird normalerweise mit 1 pro Kubikmeter für Trägerkonzentration gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Spenderkonzentration immer Negativ ist.

Kann Spenderkonzentration negativ sein?

Ja, der in Trägerkonzentration gemessene Spenderkonzentration kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Spenderkonzentration verwendet?

Spenderkonzentration wird normalerweise mit 1 pro Kubikmeter[1/m³] für Trägerkonzentration gemessen. 1 pro Kubikzentimeter[1/m³], pro Liter[1/m³] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Spenderkonzentration gemessen werden kann.

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