Spannung zwischen Gate und Source in MOSFET Formeln

Die Spannung zwischen Gate und Source eines Feldeffekttransistors (FET) wird als Gate-Source-Spannung (VGS) bezeichnet. Dies ist ein wichtiger Parameter, der den Betrieb des FET beeinflusst. Und wird durch V_GS gekennzeichnet. Spannung zwischen Gate und Source wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Spannung zwischen Gate und Source immer Negativ ist.

MOSFET-Formeln, die Spannung zwischen Gate und Source verwenden

fxDrainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistorsge

fxDrain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistorsge

fxGesamt-Drain-Strom des PMOS-Transistorsge

fxLadung der Inversionsschicht in PMOSge

fxLadung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOSge

fxÜbersteuerungsspannung von PMOSge

FAQ

Was ist der Spannung zwischen Gate und Source?

Die Spannung zwischen Gate und Source eines Feldeffekttransistors (FET) wird als Gate-Source-Spannung (VGS) bezeichnet. Dies ist ein wichtiger Parameter, der den Betrieb des FET beeinflusst. Spannung zwischen Gate und Source wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Spannung zwischen Gate und Source immer Negativ ist.

Kann Spannung zwischen Gate und Source negativ sein?

Ja, der in Elektrisches Potenzial gemessene Spannung zwischen Gate und Source kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Spannung zwischen Gate und Source verwendet?

Spannung zwischen Gate und Source wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Spannung zwischen Gate und Source gemessen werden kann.

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