Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung in Transistorverstärker Formeln

Die Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung ist die Durchlassspannung zwischen Basis und Emitter des Transistors. Und wird durch V_be gekennzeichnet. Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung immer positiv ist.

Transistorverstärker-Formeln, die Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung verwenden

fxSättigungsstrom des Emitterfolgersge

fxKollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiertge

FAQ

Was ist der Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung?

Die Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung ist die Durchlassspannung zwischen Basis und Emitter des Transistors. Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung immer positiv ist.

Kann Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung verwendet?

Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung gemessen werden kann.

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