Seitenverhältnis in MOSFET Formeln

Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle Und wird durch WL gekennzeichnet.

MOSFET-Formeln, die Seitenverhältnis verwenden

fxDrainstrom ohne Kanallängenmodulation des MOSFETge

fxSpannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannungge

fxSteilheit bei gegebenem Drain-Stromge

fxTranskonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameterge

fxTranskonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltagege

fxProzess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Stromge

fxMOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparametersge

fxMOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung von Prozess-Transkonduktanzparameter und Übersteuerungsspannungge

fxDrainstrom bei gegebener Prozesstranskonduktanz und Transkonduktanzge

fxMOSFET-Transkonduktanzparameter unter Verwendung der Prozess-Transkonduktanzge

fxDrain-Strom gegeben NMOS arbeitet als spannungsgesteuerte Stromquellege

Seitenverhältnis in MOSFET Formeln

MOSFET-Formeln, die Seitenverhältnis verwenden

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