Sättigungszeit in MOSFET Formeln

Die Sättigungszeit ist die Zeit, die die Ausgangsspannung eines MOSFET benötigt, um einen bestimmten Wert (V) zu erreichen Und wird durch T_sat gekennzeichnet. Sättigungszeit wird normalerweise mit Zweite für Zeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Sättigungszeit immer Negativ ist.

Formeln zum Suchen von Sättigungszeit in MOSFET

fxSättigungszeitge

Liste der Variablen in MOSFET-Formeln

fx Ladekapazität ge

fx Transkonduktanz-Prozessparameter ge

fx Hohe Ausgangsspannung ge

fx Grenzspannung ge

FAQ

Was ist der Sättigungszeit?

Die Sättigungszeit ist die Zeit, die die Ausgangsspannung eines MOSFET benötigt, um einen bestimmten Wert (V) zu erreichen Sättigungszeit wird normalerweise mit Zweite für Zeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Sättigungszeit immer Negativ ist.

Kann Sättigungszeit negativ sein?

Ja, der in Zeit gemessene Sättigungszeit kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Sättigungszeit verwendet?

Sättigungszeit wird normalerweise mit Zweite[s] für Zeit gemessen. Millisekunde[s], Mikrosekunde[s], Nanosekunde[s] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Sättigungszeit gemessen werden kann.

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