Sättigungsspannung zwischen Drain und Source in Transistorverstärker Formeln

Die Sättigungsspannung zwischen Drain und Source in einem Transistor ist eine Spannung zwischen Kollektor und Emitter, die für die Sättigung erforderlich ist. Und wird durch V_ds gekennzeichnet. Sättigungsspannung zwischen Drain und Source wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Sättigungsspannung zwischen Drain und Source immer positiv ist.

Transistorverstärker-Formeln, die Sättigungsspannung zwischen Drain und Source verwenden

fxStrom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließtge

FAQ

Was ist der Sättigungsspannung zwischen Drain und Source?

Die Sättigungsspannung zwischen Drain und Source in einem Transistor ist eine Spannung zwischen Kollektor und Emitter, die für die Sättigung erforderlich ist. Sättigungsspannung zwischen Drain und Source wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Sättigungsspannung zwischen Drain und Source immer positiv ist.

Kann Sättigungsspannung zwischen Drain und Source negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Sättigungsspannung zwischen Drain und Source kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Sättigungsspannung zwischen Drain und Source verwendet?

Sättigungsspannung zwischen Drain und Source wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Sättigungsspannung zwischen Drain und Source gemessen werden kann.

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