Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) in Fortschrittliche Transistorgeräte Formeln

Die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (IGBT) eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate ist der Spannungsabfall über dem IGBT, wenn dieser eingeschaltet ist und Strom leitet. Und wird durch V_{c-e(sat)(igbt)} gekennzeichnet. Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) immer positiv ist.

Formeln zum Suchen von Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) in Fortschrittliche Transistorgeräte

fxSättigungsspannung des IGBTge

Liste der Variablen in Fortschrittliche Transistorgeräte-Formeln

fx Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT ge

fx Drain-Strom (IGBT) ge

fx Leitfähigkeit Widerstand IGBT ge

fx N-Kanal-Widerstand (IGBT) ge

FAQ

Was ist der Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT)?

Die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (IGBT) eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate ist der Spannungsabfall über dem IGBT, wenn dieser eingeschaltet ist und Strom leitet. Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) immer positiv ist.

Kann Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) verwendet?

Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) gemessen werden kann.

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