Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit in VLSI-Herstellung Formeln

Die Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit ist definiert als die maximale Geschwindigkeit, die Elektronen in einem Halbleitermaterial unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes erreichen. Und wird durch v_d(sat) gekennzeichnet. Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit wird normalerweise mit Zentimeter pro Sekunde für Geschwindigkeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit immer positiv ist.

VLSI-Herstellung-Formeln, die Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit verwenden

fxKurzkanal-Sättigungsstrom VLSIge

FAQ

Was ist der Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit?

Die Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit ist definiert als die maximale Geschwindigkeit, die Elektronen in einem Halbleitermaterial unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes erreichen. Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit wird normalerweise mit Zentimeter pro Sekunde für Geschwindigkeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit immer positiv ist.

Kann Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit negativ sein?

NEIN, der in Geschwindigkeit gemessene Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit verwendet?

Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit wird normalerweise mit Zentimeter pro Sekunde[cm/s] für Geschwindigkeit gemessen. Meter pro Sekunde[cm/s], Meter pro Minute[cm/s], Meter pro Stunde[cm/s] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit gemessen werden kann.

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