Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit in MOSFET Formeln

Die Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit stellt die Elektronendriftgeschwindigkeit bei Sättigung in einem MOSFET dar, der sich bei niedrigen elektrischen Feldern befindet. Und wird durch V_d(sat) gekennzeichnet. Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit wird normalerweise mit Meter pro Sekunde für Geschwindigkeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit immer Negativ ist.

MOSFET-Formeln, die Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit verwenden

fxDrainstrom im Sättigungsbereich im MOS-Transistorge

FAQ

Was ist der Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit?

Die Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit stellt die Elektronendriftgeschwindigkeit bei Sättigung in einem MOSFET dar, der sich bei niedrigen elektrischen Feldern befindet. Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit wird normalerweise mit Meter pro Sekunde für Geschwindigkeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit immer Negativ ist.

Kann Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit negativ sein?

Ja, der in Geschwindigkeit gemessene Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit verwendet?

Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit wird normalerweise mit Meter pro Sekunde[m/s] für Geschwindigkeit gemessen. Meter pro Minute[m/s], Meter pro Stunde[m/s], Kilometer / Stunde[m/s] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit gemessen werden kann.

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