Rauschabstand für hohe Signale in CMOS-Design und Anwendungen Formeln

Der Rauschabstand für Hochsignale ist die Spannungsdifferenz zwischen dem minimalen hohen Eingangsspannungspegel und dem maximalen hohen Ausgangsspannungspegel, die zuverlässige Logikpegel in digitalen Schaltkreisen gewährleistet. Und wird durch N_MH gekennzeichnet. Rauschabstand für hohe Signale wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Rauschabstand für hohe Signale immer positiv ist.

Formeln zum Suchen von Rauschabstand für hohe Signale in CMOS-Design und Anwendungen

fxRauschmarge für Hochsignal-CMOSge

Liste der Variablen in CMOS-Design und Anwendungen-Formeln

fx Maximale Ausgangsspannung ge

fx Minimale Eingangsspannung ge

FAQ

Was ist der Rauschabstand für hohe Signale?

Der Rauschabstand für Hochsignale ist die Spannungsdifferenz zwischen dem minimalen hohen Eingangsspannungspegel und dem maximalen hohen Ausgangsspannungspegel, die zuverlässige Logikpegel in digitalen Schaltkreisen gewährleistet. Rauschabstand für hohe Signale wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Rauschabstand für hohe Signale immer positiv ist.

Kann Rauschabstand für hohe Signale negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Rauschabstand für hohe Signale kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Rauschabstand für hohe Signale verwendet?

Rauschabstand für hohe Signale wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Rauschabstand für hohe Signale gemessen werden kann.

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