Potenzialdifferenz des Quellkörpers in VLSI-Herstellung Formeln

Die Source-Body-Potentialdifferenz wird berechnet, wenn ein extern angelegtes Potential gleich der Summe des Spannungsabfalls über der Oxidschicht und des Spannungsabfalls über dem Halbleiter ist. Und wird durch V_sb gekennzeichnet. Potenzialdifferenz des Quellkörpers wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Potenzialdifferenz des Quellkörpers immer positiv ist.

Formeln zum Suchen von Potenzialdifferenz des Quellkörpers in VLSI-Herstellung

fxPotenzial zwischen Quelle und Körperge

VLSI-Herstellung-Formeln, die Potenzialdifferenz des Quellkörpers verwenden

fxBody-Effect-Koeffizientge

fxSteilheit unter der Schwellege

fxOberflächenpotentialge

Liste der Variablen in VLSI-Herstellung-Formeln

fx Oberflächenpotential ge

fx Akzeptorkonzentration ge

fx Intrinsische Konzentration ge

FAQ

Was ist der Potenzialdifferenz des Quellkörpers?

Die Source-Body-Potentialdifferenz wird berechnet, wenn ein extern angelegtes Potential gleich der Summe des Spannungsabfalls über der Oxidschicht und des Spannungsabfalls über dem Halbleiter ist. Potenzialdifferenz des Quellkörpers wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Potenzialdifferenz des Quellkörpers immer positiv ist.

Kann Potenzialdifferenz des Quellkörpers negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Potenzialdifferenz des Quellkörpers kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Potenzialdifferenz des Quellkörpers verwendet?

Potenzialdifferenz des Quellkörpers wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Potenzialdifferenz des Quellkörpers gemessen werden kann.

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