Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle in VLSI-Herstellung Formeln

Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Quelle ist definiert als der Bereich um einen PN-Übergang, in dem Ladungsträger aufgrund der Bildung eines elektrischen Feldes verarmt sind. Und wird durch x_dS gekennzeichnet. Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle wird normalerweise mit Mikrometer für Länge gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle immer positiv ist.

Formeln zum Suchen von Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle in VLSI-Herstellung

fxPN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSIge

VLSI-Herstellung-Formeln, die Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle verwenden

fxKurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSIge

Liste der Variablen in VLSI-Herstellung-Formeln

fx Eingebaute Anschlussspannung ge

fx Akzeptorkonzentration ge

FAQ

Was ist der Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle?

Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Quelle ist definiert als der Bereich um einen PN-Übergang, in dem Ladungsträger aufgrund der Bildung eines elektrischen Feldes verarmt sind. Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle wird normalerweise mit Mikrometer für Länge gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle immer positiv ist.

Kann Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle negativ sein?

NEIN, der in Länge gemessene Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle verwendet?

Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle wird normalerweise mit Mikrometer[μm] für Länge gemessen. Meter[μm], Millimeter[μm], Kilometer[μm] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Pn-Übergangsverarmungstiefe mit Quelle gemessen werden kann.

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