Permittivität der Oxidschicht in CMOS-Design und Anwendungen Formeln

Die Permittivität einer Oxidschicht ist definiert als die Fähigkeit einer Substanz, elektrische Energie in einem elektrischen Feld zu speichern. Und wird durch ε_ox gekennzeichnet. Permittivität der Oxidschicht wird normalerweise mit Mikrofarad pro Millimeter für Permittivität gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Permittivität der Oxidschicht immer positiv ist.

Formeln zum Suchen von Permittivität der Oxidschicht in CMOS-Design und Anwendungen

fxPermittivität der Oxidschichtge

CMOS-Design und Anwendungen-Formeln, die Permittivität der Oxidschicht verwenden

fxDicke der Oxidschichtge

Liste der Variablen in CMOS-Design und Anwendungen-Formeln

fx Dicke der Oxidschicht ge

fx Eingangs-Gate-Kapazität ge

fx Torbreite ge

fx Länge des Tors ge

FAQ

Was ist der Permittivität der Oxidschicht?

Die Permittivität einer Oxidschicht ist definiert als die Fähigkeit einer Substanz, elektrische Energie in einem elektrischen Feld zu speichern. Permittivität der Oxidschicht wird normalerweise mit Mikrofarad pro Millimeter für Permittivität gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Permittivität der Oxidschicht immer positiv ist.

Kann Permittivität der Oxidschicht negativ sein?

NEIN, der in Permittivität gemessene Permittivität der Oxidschicht kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Permittivität der Oxidschicht verwendet?

Permittivität der Oxidschicht wird normalerweise mit Mikrofarad pro Millimeter[μF/mm] für Permittivität gemessen. Farad pro Meter[μF/mm], Mikrofarad pro Meter[μF/mm] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Permittivität der Oxidschicht gemessen werden kann.

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