Oxidkapazität pro Flächeneinheit in VLSI-Herstellung Formeln

Die Oxidkapazität pro Flächeneinheit ist definiert als die Kapazität pro Flächeneinheit der isolierenden Oxidschicht, die das Metallgate vom Halbleitermaterial trennt. Und wird durch C_oxide gekennzeichnet. Oxidkapazität pro Flächeneinheit wird normalerweise mit Mikrofarad pro Quadratzentimeter für Oxidkapazität pro Flächeneinheit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Oxidkapazität pro Flächeneinheit immer positiv ist.

VLSI-Herstellung-Formeln, die Oxidkapazität pro Flächeneinheit verwenden

fxKurzkanal-Sättigungsstrom VLSIge

fxOxidkapazität nach vollständiger Skalierung von VLSIge

fxKurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSIge

fxOxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSIge

fxZusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSIge

FAQ

Was ist der Oxidkapazität pro Flächeneinheit?

Die Oxidkapazität pro Flächeneinheit ist definiert als die Kapazität pro Flächeneinheit der isolierenden Oxidschicht, die das Metallgate vom Halbleitermaterial trennt. Oxidkapazität pro Flächeneinheit wird normalerweise mit Mikrofarad pro Quadratzentimeter für Oxidkapazität pro Flächeneinheit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Oxidkapazität pro Flächeneinheit immer positiv ist.

Kann Oxidkapazität pro Flächeneinheit negativ sein?

NEIN, der in Oxidkapazität pro Flächeneinheit gemessene Oxidkapazität pro Flächeneinheit kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Oxidkapazität pro Flächeneinheit verwendet?

Oxidkapazität pro Flächeneinheit wird normalerweise mit Mikrofarad pro Quadratzentimeter[μF/cm²] für Oxidkapazität pro Flächeneinheit gemessen. Farad pro Quadratmeter[μF/cm²], Nanofarad pro Quadratzentimeter[μF/cm²], Mikrofarad pro Quadratmillimeter[μF/cm²] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Oxidkapazität pro Flächeneinheit gemessen werden kann.

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