MOSFET-Sekundärtranskonduktanz in Transistorverstärker Formeln

Die sekundäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms dividiert durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung. Und wird durch g_ms gekennzeichnet. MOSFET-Sekundärtranskonduktanz wird normalerweise mit Millisiemens für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von MOSFET-Sekundärtranskonduktanz immer positiv ist.

Transistorverstärker-Formeln, die MOSFET-Sekundärtranskonduktanz verwenden

fxBipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlaufge

FAQ

Was ist der MOSFET-Sekundärtranskonduktanz?

Die sekundäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms dividiert durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung. MOSFET-Sekundärtranskonduktanz wird normalerweise mit Millisiemens für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von MOSFET-Sekundärtranskonduktanz immer positiv ist.

Kann MOSFET-Sekundärtranskonduktanz negativ sein?

NEIN, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene MOSFET-Sekundärtranskonduktanz kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von MOSFET-Sekundärtranskonduktanz verwendet?

MOSFET-Sekundärtranskonduktanz wird normalerweise mit Millisiemens[mS] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen MOSFET-Sekundärtranskonduktanz gemessen werden kann.

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