FormulaDen logo
FormulaDen.com
Search
Physik Chemie Mathe Chemieingenieurwesen Bürgerlich Elektrisch Elektronik Elektronik und Instrumentierung Materialwissenschaften Mechanisch Fertigungstechnik Finanz Gesundheit

MOSFET-Primärtranskonduktanz in Transistorverstärker Formeln

Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung. Und wird durch gmp gekennzeichnet. MOSFET-Primärtranskonduktanz wird normalerweise mit Millisiemens für Steilheit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von MOSFET-Primärtranskonduktanz immer positiv ist.

Formeln zum Suchen von MOSFET-Primärtranskonduktanz in Transistorverstärker

fxSteilheit von Transistorverstärkern​ge
fxSteilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers​ge
fxTranskonduktanz im Common-Source-Verstärker​ge

Transistorverstärker-Formeln, die MOSFET-Primärtranskonduktanz verwenden

fxGesamtspannungsverstärkung des Common-Emitter-Verstärkers​ge
fxAusgangswiderstand des Emitter-degenerierten CE-Verstärkers​ge
fxLeerlaufspannungsverstärkung des CS-Verstärkers​ge
fxGesamtrückkopplungsspannungsverstärkung des Common-Source-Verstärkers​ge
fxStromverstärkung des Controlled-Source-Transistors​ge
fxGesamtspannungsverstärkung des Source-Folgers​ge
fxAusgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors​ge
fxAusgangswiderstand des CS-Verstärkers mit Quellwiderstand​ge
fxVerstärkung der Ausgangsspannung des MOS-Kaskodenverstärkers​ge
fxDrain-Widerstand des Kaskodenverstärkers​ge
fxNegative Spannungsverstärkung des Kaskodenverstärkers​ge
fxBipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf​ge

Liste der Variablen in Transistorverstärker-Formeln

fx Stromverbrauch ​ge
fx Spannung über Oxid ​ge
fx Grenzspannung ​ge
fx Kollektorstrom ​ge
fx Einheitsgewinnfrequenz ​ge
fx Gate-Source-Kapazität ​ge
fx Kapazitäts-Gate zum Drain ​ge

FAQ

Was ist der MOSFET-Primärtranskonduktanz?
Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung. MOSFET-Primärtranskonduktanz wird normalerweise mit Millisiemens für Steilheit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von MOSFET-Primärtranskonduktanz immer positiv ist.
Kann MOSFET-Primärtranskonduktanz negativ sein?
NEIN, der in Steilheit gemessene MOSFET-Primärtranskonduktanz kann kann nicht negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von MOSFET-Primärtranskonduktanz verwendet?
MOSFET-Primärtranskonduktanz wird normalerweise mit Millisiemens[mS] für Steilheit gemessen. Siemens[mS] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen MOSFET-Primärtranskonduktanz gemessen werden kann.
About | Contact | Disclaimer | Terms | Privacy Policy
© 2024. Developed & Maintained by softUsvista Inc.
Copied!