MOSFET EIN-Verzögerungszeit in Grundlegende Transistorgeräte Formeln

Die MOSFET-EIN-Verzögerungszeit ist definiert als die anfängliche Verzögerung, während der die Eingangskapazität eines MOSFET die Ladung speichert. Und wird durch T_d-on gekennzeichnet. MOSFET EIN-Verzögerungszeit wird normalerweise mit Zweite für Zeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von MOSFET EIN-Verzögerungszeit immer positiv ist.

Grundlegende Transistorgeräte-Formeln, die MOSFET EIN-Verzögerungszeit verwenden

fxMOSFET-Einschaltzeitge

FAQ

Was ist der MOSFET EIN-Verzögerungszeit?

Die MOSFET-EIN-Verzögerungszeit ist definiert als die anfängliche Verzögerung, während der die Eingangskapazität eines MOSFET die Ladung speichert. MOSFET EIN-Verzögerungszeit wird normalerweise mit Zweite für Zeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von MOSFET EIN-Verzögerungszeit immer positiv ist.

Kann MOSFET EIN-Verzögerungszeit negativ sein?

NEIN, der in Zeit gemessene MOSFET EIN-Verzögerungszeit kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von MOSFET EIN-Verzögerungszeit verwendet?

MOSFET EIN-Verzögerungszeit wird normalerweise mit Zweite[s] für Zeit gemessen. Millisekunde[s], Mikrosekunde[s], Nanosekunde[s] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen MOSFET EIN-Verzögerungszeit gemessen werden kann.

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