Maximale Erschöpfungstiefe in MOSFET Formeln

Die maximale Verarmungstiefe bezieht sich auf das maximale Ausmaß, bis zu dem sich der Verarmungsbereich unter bestimmten Betriebsbedingungen in das Halbleitermaterial des Geräts hinein erstreckt. Und wird durch x_dm gekennzeichnet. Maximale Erschöpfungstiefe wird normalerweise mit Meter für Länge gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Maximale Erschöpfungstiefe immer positiv ist.

Formeln zum Suchen von Maximale Erschöpfungstiefe in MOSFET

fxMaximale Erschöpfungstiefege

Liste der Variablen in MOSFET-Formeln

fx Bulk-Fermi-Potenzial ge

fx Dopingkonzentration des Akzeptors ge

FAQ

Was ist der Maximale Erschöpfungstiefe?

Die maximale Verarmungstiefe bezieht sich auf das maximale Ausmaß, bis zu dem sich der Verarmungsbereich unter bestimmten Betriebsbedingungen in das Halbleitermaterial des Geräts hinein erstreckt. Maximale Erschöpfungstiefe wird normalerweise mit Meter für Länge gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Maximale Erschöpfungstiefe immer positiv ist.

Kann Maximale Erschöpfungstiefe negativ sein?

NEIN, der in Länge gemessene Maximale Erschöpfungstiefe kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Maximale Erschöpfungstiefe verwendet?

Maximale Erschöpfungstiefe wird normalerweise mit Meter[m] für Länge gemessen. Millimeter[m], Kilometer[m], Dezimeter[m] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Maximale Erschöpfungstiefe gemessen werden kann.

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