Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle in VLSI-Herstellung Formeln

Laterale Ausdehnung des Verarmungsbereichs mit Quelle ist die horizontale Entfernung, über die sich der Verarmungsbereich seitlich vom Source-Anschluss in einem Halbleiterbauelement erstreckt. Und wird durch ΔL_s gekennzeichnet. Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle wird normalerweise mit Mikrometer für Länge gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle immer positiv ist.

VLSI-Herstellung-Formeln, die Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle verwenden

fxLadungsdichte der Bulk-Depletion-Region (VLSI).ge

FAQ

Was ist der Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle?

Laterale Ausdehnung des Verarmungsbereichs mit Quelle ist die horizontale Entfernung, über die sich der Verarmungsbereich seitlich vom Source-Anschluss in einem Halbleiterbauelement erstreckt. Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle wird normalerweise mit Mikrometer für Länge gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle immer positiv ist.

Kann Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle negativ sein?

NEIN, der in Länge gemessene Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle verwendet?

Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle wird normalerweise mit Mikrometer[μm] für Länge gemessen. Meter[μm], Millimeter[μm], Kilometer[μm] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle gemessen werden kann.

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