Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss in VLSI-Herstellung Formeln

Laterale Ausdehnung des Verarmungsbereichs mit Drain ist der horizontale Abstand, über den sich der Verarmungsbereich seitlich vom Drain-Anschluss in einem Halbleiterbauelement erstreckt. Und wird durch ΔL_D gekennzeichnet. Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss wird normalerweise mit Mikrometer für Länge gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss immer positiv ist.

VLSI-Herstellung-Formeln, die Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss verwenden

fxLadungsdichte der Bulk-Depletion-Region (VLSI).ge

FAQ

Was ist der Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss?

Laterale Ausdehnung des Verarmungsbereichs mit Drain ist der horizontale Abstand, über den sich der Verarmungsbereich seitlich vom Drain-Anschluss in einem Halbleiterbauelement erstreckt. Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss wird normalerweise mit Mikrometer für Länge gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss immer positiv ist.

Kann Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss negativ sein?

NEIN, der in Länge gemessene Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss verwendet?

Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss wird normalerweise mit Mikrometer[μm] für Länge gemessen. Meter[μm], Millimeter[μm], Kilometer[μm] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss gemessen werden kann.

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