Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region in VLSI-Herstellung Formeln

Die Ladungsdichte der Massenverarmungsregion ist definiert als elektrische Ladung pro Flächeneinheit, die der Verarmungsregion in der Masse eines Halbleiterbauelements zugeordnet ist. Und wird durch Q_B0 gekennzeichnet. Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region wird normalerweise mit Mikrocoulomb pro Quadratzentimeter für Oberflächenladungsdichte gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region immer Negativ ist.

Formeln zum Suchen von Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region in VLSI-Herstellung

fxLadungsdichte der Bulk-Depletion-Region (VLSI).ge

Liste der Variablen in VLSI-Herstellung-Formeln

fx Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Quelle ge

fx Laterale Ausdehnung der Verarmungsregion mit Abfluss ge

fx Kanallänge ge

fx Akzeptorkonzentration ge

fx Oberflächenpotential ge

FAQ

Was ist der Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region?

Die Ladungsdichte der Massenverarmungsregion ist definiert als elektrische Ladung pro Flächeneinheit, die der Verarmungsregion in der Masse eines Halbleiterbauelements zugeordnet ist. Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region wird normalerweise mit Mikrocoulomb pro Quadratzentimeter für Oberflächenladungsdichte gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region immer Negativ ist.

Kann Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region negativ sein?

Ja, der in Oberflächenladungsdichte gemessene Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region verwendet?

Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region wird normalerweise mit Mikrocoulomb pro Quadratzentimeter[μC/cm²] für Oberflächenladungsdichte gemessen. Coulomb pro Quadratmeter[μC/cm²], Coulomb pro Quadratzentimeter[μC/cm²], Coulomb pro Quadratzoll[μC/cm²] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region gemessen werden kann.

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