Ladung der Inversionsschicht in MOSFET Formeln

Unter Inversionsschichtladung versteht man die Ansammlung von Ladungsträgern an der Grenzfläche zwischen dem Halbleiter und der isolierenden Oxidschicht, wenn eine Spannung an die Gate-Elektrode angelegt wird. Und wird durch Q_p gekennzeichnet. Ladung der Inversionsschicht wird normalerweise mit Coulomb pro Quadratmeter für Oberflächenladungsdichte gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Ladung der Inversionsschicht immer Negativ ist.

Formeln zum Suchen von Ladung der Inversionsschicht in MOSFET

fxLadung der Inversionsschicht in PMOSge

fxLadung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOSge

MOSFET-Formeln, die Ladung der Inversionsschicht verwenden

fxStrom im Inversionskanal von PMOSge

fxStrom von der Quelle zum Abfluss ableitenge

Liste der Variablen in MOSFET-Formeln

fx Oxidkapazität ge

fx Spannung zwischen Gate und Source ge

fx Grenzspannung ge

fx Spannung zwischen Drain und Source ge

FAQ

Was ist der Ladung der Inversionsschicht?

Unter Inversionsschichtladung versteht man die Ansammlung von Ladungsträgern an der Grenzfläche zwischen dem Halbleiter und der isolierenden Oxidschicht, wenn eine Spannung an die Gate-Elektrode angelegt wird. Ladung der Inversionsschicht wird normalerweise mit Coulomb pro Quadratmeter für Oberflächenladungsdichte gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Ladung der Inversionsschicht immer Negativ ist.

Kann Ladung der Inversionsschicht negativ sein?

Ja, der in Oberflächenladungsdichte gemessene Ladung der Inversionsschicht kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Ladung der Inversionsschicht verwendet?

Ladung der Inversionsschicht wird normalerweise mit Coulomb pro Quadratmeter[C/m²] für Oberflächenladungsdichte gemessen. Coulomb pro Quadratzentimeter[C/m²], Coulomb pro Quadratzoll[C/m²], Abcoulomb pro Quadratmeter[C/m²] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Ladung der Inversionsschicht gemessen werden kann.

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