Kritisches elektrisches Feld in CMOS-Design und Anwendungen Formeln

Das kritische elektrische Feld ist definiert als die elektrische Kraft pro Ladungseinheit. Und wird durch E_c gekennzeichnet. Kritisches elektrisches Feld wird normalerweise mit Volt pro Millimeter für Elektrische Feldstärke gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Kritisches elektrisches Feld immer positiv ist.

Formeln zum Suchen von Kritisches elektrisches Feld in CMOS-Design und Anwendungen

fxKritisches elektrisches Feldge

CMOS-Design und Anwendungen-Formeln, die Kritisches elektrisches Feld verwenden

fxKritische CMOS-Spannungge

fxCMOS mittlerer freier Pfadge

Liste der Variablen in CMOS-Design und Anwendungen-Formeln

fx Geschwindigkeitssättigung ge

fx Mobilität des Elektrons ge

FAQ

Was ist der Kritisches elektrisches Feld?

Das kritische elektrische Feld ist definiert als die elektrische Kraft pro Ladungseinheit. Kritisches elektrisches Feld wird normalerweise mit Volt pro Millimeter für Elektrische Feldstärke gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Kritisches elektrisches Feld immer positiv ist.

Kann Kritisches elektrisches Feld negativ sein?

NEIN, der in Elektrische Feldstärke gemessene Kritisches elektrisches Feld kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Kritisches elektrisches Feld verwendet?

Kritisches elektrisches Feld wird normalerweise mit Volt pro Millimeter[V/mm] für Elektrische Feldstärke gemessen. Volt pro Meter[V/mm], Kilovolt pro Meter[V/mm], Millivolt pro Meter[V/mm] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Kritisches elektrisches Feld gemessen werden kann.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!