Kritische Verzögerung bei Gates in CMOS-Design und Anwendungen Formeln

Kritische Verzögerung bei Gattern bezieht sich auf die maximale Verzögerung, die in einem Gatter oder einer Kombination von Gattern innerhalb einer Schaltung auftreten kann. Und wird durch T_gd gekennzeichnet. Kritische Verzögerung bei Gates wird normalerweise mit Nanosekunde für Zeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Kritische Verzögerung bei Gates immer positiv ist.

Formeln zum Suchen von Kritische Verzögerung bei Gates in CMOS-Design und Anwendungen

fxKritische Verzögerung bei Gatesge

Liste der Variablen in CMOS-Design und Anwendungen-Formeln

fx Ausbreitungsverzögerung ge

fx N-Eingang UND Tor ge

fx K-Eingang UND Tor ge

fx UND-ODER-Gate-Verzögerung ge

fx Multiplexer-Verzögerung ge

FAQ

Was ist der Kritische Verzögerung bei Gates?

Kritische Verzögerung bei Gattern bezieht sich auf die maximale Verzögerung, die in einem Gatter oder einer Kombination von Gattern innerhalb einer Schaltung auftreten kann. Kritische Verzögerung bei Gates wird normalerweise mit Nanosekunde für Zeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Kritische Verzögerung bei Gates immer positiv ist.

Kann Kritische Verzögerung bei Gates negativ sein?

NEIN, der in Zeit gemessene Kritische Verzögerung bei Gates kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Kritische Verzögerung bei Gates verwendet?

Kritische Verzögerung bei Gates wird normalerweise mit Nanosekunde[ns] für Zeit gemessen. Zweite[ns], Millisekunde[ns], Mikrosekunde[ns] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Kritische Verzögerung bei Gates gemessen werden kann.

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