Kapazitäts-Gate zum Drain in Transistorverstärker Formeln

Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird. Und wird durch C_gd gekennzeichnet. Kapazitäts-Gate zum Drain wird normalerweise mit Mikrofarad für Kapazität gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Kapazitäts-Gate zum Drain immer positiv ist.

Transistorverstärker-Formeln, die Kapazitäts-Gate zum Drain verwenden

fxTranskonduktanz im Common-Source-Verstärkerge

FAQ

Was ist der Kapazitäts-Gate zum Drain?

Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird. Kapazitäts-Gate zum Drain wird normalerweise mit Mikrofarad für Kapazität gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Kapazitäts-Gate zum Drain immer positiv ist.

Kann Kapazitäts-Gate zum Drain negativ sein?

NEIN, der in Kapazität gemessene Kapazitäts-Gate zum Drain kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Kapazitäts-Gate zum Drain verwendet?

Kapazitäts-Gate zum Drain wird normalerweise mit Mikrofarad[μF] für Kapazität gemessen. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Kapazitäts-Gate zum Drain gemessen werden kann.

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